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NMOS和PMOS详解以及电路设计

一、简介

MOS管,是MOSFET的缩写。MOSFET金属-氧化物半导体场效应晶体管,简称金氧半场效晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)。

这里写图片描述

其中,G是栅极,S是源极,D是漏极。

二、常见的nmos和pmos的原理与区别

NMOS

NMOS英文全称为N-Metal-Oxide-Semiconductor。 意思为N型金属-氧化物-半导体,而拥有这种结构的晶体管我们称之为NMOS晶体管。 MOS晶体管有P型MOS管和N型MOS管之分。由MOS管构成的集成电路称为MOS集成电路,由NMOS组成的电路就是NMOS集成电路,由PMOS管组成的电路就是PMOS集成电路,由NMOS和PMOS两种管子组成的互补MOS电路,即CMOS电路。

PMOS

PMOS是指n型衬底、p沟道,靠空穴的流动运送电流的MOS管。

NMOS和PMOS工作原理

P沟道MOS晶体管的空穴迁移率低,因而在MOS晶体管的几何尺寸和工作电压绝对值相等的情况下,PMOS晶体管的跨导小于N沟道MOS晶体管。此外,P沟道MOS晶体管阈值电压的绝对值一般偏高,要求有较高的工作电压。它的供电电源的电压大小和极性,与双极型晶体管——晶体管逻辑电路不兼容。PMOS因逻辑摆幅大,充电放电过程长,加之器件跨导小,所以工作速度更低,在NMOS电路(见N沟道金属—氧化物—半导体集成电路)出现之后,多数已为NMOS电路所取代。只是,因PMOS电路工艺简单,价格便宜,有些中规模和小规模数字控制电路仍采用PMOS电路技术。

NMOS和PMOS区别

三、MOS管应用分析

NMOS和PMOS区别

1.导通特性

NMOS的特性,Vgs大于一定的值就会导通,适合用于源极接地时的情况(低端驱动),只要栅极电压达到4V或10V就可以了。

PMOS的特性,Vgs小于一定的值就会导通,适合用于源极接VCC时的情况(高端驱动)。但是,虽然PMOS可以很方便地用作高端驱动,但由于导通电阻大,价格贵,替换种类少等原因,在高端驱动中,通常还是使用NMOS。

2.MOS开关管损失

不管是NMOS还是PMOS,导通后都有导通电阻存在,这样电流就会在这个电阻上消耗能量,这部分消耗的能量叫做导通损耗。选择导通电阻小的MOS管会减小导通损耗。现在的小功率MOS管导通电阻一般在几十毫欧左右,几毫欧的也有。

MOS在导通和截止的时候,一定不是在瞬间完成的。MOS两端的电压有一个下降的过程,流过的电流有一个上升的过程,在这段时间内,MOS管的损失是电压和电流的乘积,叫做开关损失。通常开关损失比导通损失大得多,而且开关频率越高,损失也越大。

导通瞬间电压和电流的乘积很大,造成的损失也就很大。缩短开关时间,可以减小每次导通时的损失;降低开关频率,可以减小单位时间内的开关次数。这两种办法都可以减小开关损失。

3.MOS管驱动

跟双极性晶体管相比,一般认为使MOS管导通不需要电流,只要GS电压高于一定的值,就可以了。这个很容易做到,但是,我们还需要速度。

在MOS管的结构中可以看到,在GS,GD之间存在寄生电容,而MOS管的驱动,实际上就是对电容的充放电。对电容的充电需要一个电流,因为对电容充电瞬间可以把电容看成短路,所以瞬间电流会比较大。选择/设计MOS管驱动时第一要注意的是可提供瞬间短路电流的大小。

第二注意的是,普遍用于高端驱动的NMOS,导通时需要是栅极电压大于源极电压。而高端驱动的MOS管导通时源极电压与漏极电压(VCC)相同,所以这时栅极电压要比VCC大4V或10V。如果在同一个系统里,要得到比VCC大的电压,就要专门的升压电路了。很多马达驱动器都集成了电荷泵,要注意的是应该选择合适的外接电容,以得到足够的短路电流去驱动MOS管。

四、MOS应用电路设计

在实际项目中,我们基本都用增强型,分为N沟道和P沟道两种。

NMOS和PMOS区别

我们常用的是NMOS,因为其导通电阻小,且容易制造。在MOS管原理图上可以看到,漏极和源极之间有一个寄生二极管。这个叫体二极管,在驱动感性负载(如马达),这个二极管很重要。顺便说一句,体二极管只在单个的MOS管中存在,在集成电路芯片内部通常是没有的,需要具体看数据手册。

了解MOS管的开通/关断原理你就会发现,使用PMOS做上管、NMOS做下管比较方便。使用PMOS做下管、NMOS做上管的电路设计复杂,一般情况下意义不大,所以很少采用。

下面先了解MOS管的开通/关断原理,请看下图:

https://ss2.baidu.com/6ONYsjip0QIZ8tyhnq/it/u=2323938536,1082213179&fm=173&app=25&f=JPEG?w=640&h=371&s=E596257621865CEA066CD4D2000000B2

NMOS管的主回路电流方向为D→S,导通条件为VGS有一定的压差,一般为5~10V(G电位比S电位高);而PMOS管的主回路电流方向为S→D,导通条件为VGS有一定的压差,一般为-5~-10V(S电位比G电位高),下面以导通压差6V为例。

NMOS管

使用NMOS当下管,S极直接接地(为固定值),只需将G极电压固定值6V即可导通;若使用NMOS当上管,D极接正电源,而S极的电压不固定,无法确定控制NMOS导通的G极电压,因为S极对地的电压有两种状态,MOS管截止时为低电平,导通时接近高电平VCC。当然NMOS也是可以当上管的,只是控制电路复杂,这种情况必须使用隔离电源控制,使用一个PMOS管就能解决的事情一般不会这么干,明显增加电路难度。

https://ss0.baidu.com/6ONWsjip0QIZ8tyhnq/it/u=123242985,3870653698&fm=173&app=25&f=JPEG?w=595&h=543&s=E596A776510674E81C6190DA0000A032

PMOS管

使用PMOS当上管,S极直接接电源VCC,S极电压固定,只需G极电压比S极低6V即可导通,使用方便;同理若使用PMOS当下管,D极接地,S极的电压不固定(0V或VCC),无法确定控制极G极的电压,使用较麻烦,需采用隔离电压设计。

https://ss0.baidu.com/6ONWsjip0QIZ8tyhnq/it/u=3482279856,153803706&fm=173&app=25&f=JPEG?w=560&h=503&s=E596A576591740CA0C4DFCDA00003032

五、常见的MOS管型号

A2700 N型管(贴片)

耐压:30V

电流:9A

导通电阻:7.3mΩ

SI4336 N型管(贴片)

耐压:30V

电流:22A

导通电阻:4.2mΩ

SI4404 N型管(贴片)

耐压:30V

电流:17A

导通电阻:8mΩ

SI4410 N型管(贴片)

耐压:30V

电流:10A

导通电阻:14mΩ

SI4420 N型管(贴片)

耐压:30V

电流:10A

导通电阻:10mΩ

SI4812 N型管(贴片)

耐压:30V

电流:7.3A

导通电阻:28mΩ

SI9410 N型管(贴片)

耐压:30V

电流:6.9A

导通电阻:50mΩ

IRF7313 N型管(贴片)

耐压:30V

电流:6A

导通电阻:29mΩ

IRF7413 N型管(贴片)

耐压:30V

电流:12A

导通电阻:18mΩ

IRF7477 N型管(贴片)

耐压:30V

电流:11A

导通电阻:20mΩ

IRF7805Z N型管(贴片)

耐压:30V

电流:16A

导通电阻:6.8mΩ

IRF7811 N型管(贴片)

耐压:30V

电流:11A

导通电阻:12mΩ

IRF7831 N型管(贴片)

耐压:30V

电流:16A

导通电阻:0.004Ω

IRF7832 N型管(贴片)

耐压:30V

电流:20A

导通电阻:4mΩ

IRF8113 N型管(贴片)

耐压:30V

电流:17A

导通电阻:5.6mΩ

TPC8003 N型管(贴片)

耐压:30V

电流:12A

导通电阻:6mΩ

FDS6688 N型管(贴片)

耐压:30V

电流:16A

导通电阻:0.006Ω

FDD6688 TO-252贴片

耐压:30V

电流:84A

导通电阻:5mΩ

A2716 P型管(贴片)

耐压:30V

电流:7A

导通电阻:11.3mΩ

SI4405 P型管(贴片)

耐压:30V

电流:17A

导通电阻:7.5mΩ

SI4425 P型管(贴片)

耐压:30V

电流:9A

导通电阻:19mΩ

SI4435 P型管(贴片)

耐压:30V

电流:8A

导通电阻:20mΩ

SI4463 P型管(贴片)

耐压:20V

电流:12.3A

导通电阻:16mΩ

SI9435 P型管(贴片)

耐压:30V

电流:5.3A

导通电阻:50mΩ

IRF7424 P型管(贴片)

耐压:30V

电流:8.8A

导通电阻:22mΩ

STM4439A P型管(贴片)

耐压:30V

电流:14A

导通电阻:18mΩ

FDS6679 P型管(贴片)

耐压:30V

电流:13A

导通电阻:9mΩ

BUZ111S N型管(直插)

耐压:55V

电流:80A

导通电阻:8mΩ

5N05 N型管(直插)

耐压:50V

电流:75A

导通电阻:0.0095Ω

6N60 N型管(直插)

耐压:600V

电流:5.5A

导通电阻:0.75Ω

50N03L N型管(直插)

耐压:25V

电流:28A

导通电阻:21mΩ

60N06 N型管(直插)

耐压:60V

电流:60A

导通电阻:14mΩ

BTS110 N型管(直插)

耐压:100V

电流:10A

导通电阻:200mΩ

BTS120 N型管(直插)

耐压:100V

电流:19A

导通电阻:100mΩ

IRF15 0 N型管(铁壳非直插)

耐压:100V

电流:40A

导通电阻:55mΩ

IRF1405 N型管(直插)

耐压:55V

电流:131A

导通电阻:5.3mΩ

IRF2804 N型管(直插)

耐压:40V

电流:75A

导通电阻:2mΩ

IRF3205 N型管(直插)

耐压:55V

电流:110A

导通电阻:8mΩ

IRF3703 N型管(直插)

耐压:30V

电流:210A

导通电阻:2.3mΩ

IRL3803 N型管(直插)

耐压:30V

电流:140A

导通电阻:6mΩ

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