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STM32F103ZET6核心板设计(包含原理图与PCB)

前言:设计一款自带仿真器与串口的STM32F103ZET6+RRAM阻变式存储器)核心板。

STM32F103ZET6核心板设计(包含原理图与PCB)

一、STM32F103ZET6简介

stm32f103zet6由ST公司开发的STM32F1系列MCU,最高72MHz工作频率,程序存储器容量是256KB,程序存储器类型是FLASH,RAM容量是48K。适用于高速处理环境,如图像处理、飞控等领域。

  • 内嵌经出厂调教的8MHz的RC振荡器.
  • 串行单线调试(SWD)和JTAG接口.
  • 多达8个定时器.
  • 3个16位定时器,每个定时器有多达4个用于输入捕获/输出比较/PWM或脉冲计数的通道和增量编码器输入.
  • 2个看门狗定时器(独立的和窗口型的):防止程序跑飞,单片机自动复位.
  • 系统时间定时器:一种简单的,24位写清零、递减、自装载同时具有可灵活控制机制的计数器.
  • 2个I2C接口(支持SMBus/PMBus):一种简单、双向二线制同步串行总线.
  • 3个USART接口(支持ISO7816接口,LIN,IrDA接口和调制解调控制):通用同步/异步串行接收/发送器USART是一个全双工通用同步/异步串行收发模块.
  • 2个SPI接口(18M位/秒):总线系统是一种同步串行外设接口,它可以使MCU与各种外围设备以串行方式进行通信以交换信息。

二、阻变式存储器(RRAM)

阻变式存储器(RRAM)是以非导性材料的电阻在外加电场作用下,在高阻态和低阻态之间实现可逆转换为基础的非易失性存储器。作为阻变式存储器芯片一个重要的电子元件,忆阻器(memristor)的电阻会随外加电压的高低而改变。相比其它非易失性存储技术,RRAM是高速存储器。
RRAM是一种“根据施加在金属氧化物(Metal Oxide)上的电压的不同,使材料的电阻在高阻态和低阻态间发生相应变化,从而开启或阻断电流流动通道,并利用这种性质储存各种信息的内存”。简单来说RRAM是一种新型电脑存储器,它基于一种新的半导体材料,依赖于温度和电压来存储数据。
STM32F103ZET6核心板设计(包含原理图与PCB)

三、电路设计

1.原理图设计(6页)

STM32F103ZET6核心板设计(包含原理图与PCB)

2.PCB设计
STM32F103ZET6核心板设计(包含原理图与PCB)
3.资料下载
STM32F103ZET6+RRAM核心板设计资料,免费下载:STM32F103ZET6核心板

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